Nexperia BUK9Y7R640E Type N-Channel MOSFET, 79 A, 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK BUK9Y7R6-40E,115

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153-2862
Référence fabricant:
BUK9Y7R6-40E,115
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

79A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

LFPAK

Series

BUK9Y7R640E

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

15.28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

95W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.1 mm

Height

1.05mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

N-channel 40 V, 7.6 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56, Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications.

Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5 V at 175 °C

12 V Automotive systems

Motors, lamps and solenoid control

Transmission control

Ultra high performance power switching

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