Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET, 2.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

645,00 €

(TVA exclue)

780,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 30 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,215 €645,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
146-4445
Référence fabricant:
SQ2361ES-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Series

SQ

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.177Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

TrenchFET® power MOSFET

Material categorization 

Liens connexes