Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 23 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

253,77 €

(TVA exclue)

307,05 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 60 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 +8,459 €253,77 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
145-7049
Référence fabricant:
C3M0120090D
Fabricant:
Wolfspeed
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Wolfspeed

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Package Type

TO-247

Series

C3M

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

155mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

18 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

4.4V

Maximum Power Dissipation Pd

97W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.13mm

Height

5.21mm

Width

21.1 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs


Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

MOSFET Transistors, Wolfspeed


Liens connexes