Références fabricant

Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 11.5 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-247

N° de stock RS:: 162-9714
Référence fabricant:: C3M0280090D
Fabricant:: Wolfspeed

Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 11.5 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Actuellement indisponible

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Produit de remplacement

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Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-247 IPW80R360P7XKSA1

N° de stock RS: 218-3092

L'unité (en paquet de 5)

14,62 €

(TVA exclue)

17,69 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:: 162-9714
Référence fabricant:: C3M0280090D
Fabricant:: Wolfspeed

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Wolfspeed
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	900V
	Series	C3M
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	360mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	4.4V
	Maximum Power Dissipation Pd	54W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	18V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	21.1mm
	Height	5.21mm
	Length	16.13mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Wolfspeed
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 900V
	Series C3M
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 4.4V
	Maximum Power Dissipation Pd 54W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 18V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 21.1mm
	Height 5.21mm
	Length 16.13mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Liens connexes

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