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ROHM RQ3G100GN Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3G100GNTB

N° de stock RS:: 133-3295
Référence fabricant:: RQ3G100GNTB
Fabricant:: ROHM

ROHM RQ3G100GN Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3G100GNTB

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 133-3295
Référence fabricant:: RQ3G100GNTB
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	HSMT
	Series	RQ3G100GN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	15W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	3.1mm
	Length	3.3mm
	Height	0.85mm

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type HSMT
	Series RQ3G100GN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 15W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 3.1mm
	Length 3.3mm
	Height 0.85mm

Pays d'origine :: JP

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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