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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB3036PBF

N° de stock RS:: 124-9025
Référence fabricant:: IRLB3036PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB3036PBF

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100 - 200	1,321 €	66,05 €
250 +	1,236 €	61,80 €

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N° de stock RS:: 124-9025
Référence fabricant:: IRLB3036PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	270A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	91nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	380W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.02mm
	Width	4.83 mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 270A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 91nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 380W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.02mm
	Width 4.83 mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: MX

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