Références fabricant

DiodesZetex Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET, 3.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 122-3314
Référence fabricant:: DMP3085LSD-13
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET, 3.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

220,00 €

(TVA exclue)

265,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 19 octobre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 - 5000	0,088 €	220,00 €
7500 +	0,086 €	215,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 122-3314
Référence fabricant:: DMP3085LSD-13
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	95mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Forward Voltage Vf	-0.7V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Height	1.5mm
	Length	4.95mm
	Standards/Approvals	MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Forward Voltage Vf -0.7V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Height 1.5mm
	Length 4.95mm
	Standards/Approvals MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.