DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 260 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-563

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

111,00 €

(TVA exclue)

135,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 120000,037 €111,00 €
15000 - 270000,036 €108,00 €
30000 - 720000,035 €105,00 €
75000 - 1470000,034 €102,00 €
150000 +0,033 €99,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
122-2883
Référence fabricant:
DMN63D8LV-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

260mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-563

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

13Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.4nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

1.25 mm

Height

0.6mm

Standards/Approvals

UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS

Length

1.7mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


Liens connexes