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    N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP Renesas RJK6012DPP-E0#T2

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    121-6898
    Référence fabricant:
    RJK6012DPP-E0#T2
    Fabricant:
    Renesas Electronics
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    Renesas Electronics
    Pays d'origine :
    KR

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    KR

    Détails du produit

    N-Channel High Voltage MOSFETs 150V and Over, Renesas Electronics



    MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)


    Spécifications

    AttributValeur
    Channel TypeN
    Maximum Continuous Drain Current10 A
    Maximum Drain Source Voltage600 V
    Package TypeTO-220FP
    Mounting TypeThrough Hole
    Pin Count3
    Maximum Drain Source Resistance920 mΩ
    Channel ModeEnhancement
    Maximum Power Dissipation30 W
    Transistor ConfigurationSingle
    Maximum Gate Source Voltage+30 V
    Maximum Operating Temperature+150 °C
    Width4.7mm
    Number of Elements per Chip1
    Typical Gate Charge @ Vgs30 nC @ 10 V
    Length10.16mm
    Transistor MaterialSi
    Height15.87mm
    Forward Diode Voltage1.5V
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