STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 103-1991
- Référence fabricant:
- STW26NM60N
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
83,52 €
(TVA exclue)
101,07 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 600 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | 2,784 € | 83,52 € |
| 90 - 480 | 2,227 € | 66,81 € |
| 510 - 960 | 1,979 € | 59,37 € |
| 990 + | 1,676 € | 50,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 103-1991
- Référence fabricant:
- STW26NM60N
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | MDmesh | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 165mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.75mm | |
| Height | 20.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series MDmesh | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 165mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.75mm | ||
Height 20.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Liens connexes
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW26NM60N
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW20NM60
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW34NM60N
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW48NM60N