STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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N° de stock RS:
151-455
Référence fabricant:
STW20NM60
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

MDmesh

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.29Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Minimum Operating Temperature

50°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.75 mm

Length

34.95mm

Height

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET associates the multiple drain process with the company’s Power MESH horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.

100% avalanche tested

Low input capacitance and gate charge

Low gate input resistance

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