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ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

N° de stock RS:: 780-669
Référence fabricant:: SCT2H12NWBTL1
Fabricant:: ROHM

ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

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N° de stock RS:: 780-669
Référence fabricant:: SCT2H12NWBTL1
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.7kV
	Package Type	TO
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	0mV
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Width	10.2mm
	Length	15.5mm
	Height	4.5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.7kV
	Package Type TO
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 0mV
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Width 10.2mm
	Length 15.5mm
	Height 4.5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCT2H12NWBTL1

The ROHM Silicon Carbide MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-voltage industrial power management. This Advanced SiC device is engineered for auxiliary power supplies, ensuring superior thermal conductivity and lower switching losses compared to traditional silicon components.

Drain to source voltage of 1700 V

Continuous drain current of 3.9 A

1.15 Ohm typical on-resistance

High power dissipation of 39 W

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