ROHM P-Channel MOSFET, 3 A, -40 V, 3-Pin SOT-346T RQ5L030ATTCL
- N° de stock RS:
- 780-363
- Référence fabricant:
- RQ5L030ATTCL
- Fabricant:
- ROHM
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | SOT-346T | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 1.8mm | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type SOT-346T | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 1.8mm | ||
Height 1mm | ||
Length 3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance P-channel switching for low-voltage power management. This Compact device is engineered for high-speed operation, ensuring efficient performance in space-constrained layouts.
Drain to source voltage of -60 V
Continuous drain current of -3.0 A
High-speed switching performance
Compact TSMT3 surface-mount package
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