Infineon Half Bridge C Series N-Channel MOSFET Modules, 185 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin AG-62MMHB FF3MR12KM1HSHPSA1

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N° de stock RS:
762-898
Référence fabricant:
FF3MR12KM1HSHPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET Modules

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

185A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Series

C Series

Package Type

AG-62MMHB

Mount Type

Screw

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.62mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

6.25V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-23V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.65μC

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Width

61.4mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

106.4mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
HU
The Infineon CoolSiC Trench MOSFET half bridge module features voltage rating of 2000 V and supports high current density. It is suitable for UPS systems, DC/DC converter, High-frequency switching application, Solar applications, Energy storage systems (ESS), and DC charger for EV.

Low switching losses

High current density

Qualified for industrial applications

4 kV AC 1 min insulation

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