Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules, 395 A, 1200 V Enhancement, 15-Pin AG-62MMHB

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 unité)*

873,25 €

(TVA exclue)

1 056,63 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 10 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 +873,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
762-897
Référence fabricant:
FF1MR12KM1HSHPSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET Modules

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

395A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

AG-62MMHB

Series

XHP 2

Mount Type

Screw

Pin Count

15

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

2300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-23V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.6μC

Forward Voltage Vf

6.25V

Maximum Operating Temperature

125°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Width

61.4mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

106.4mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
HU
The Infineon CoolSiC Trench MOSFET half bridge module features voltage rating of 1200 V and supports high current density. It is suitable for UPS systems, DC/DC converter, High-frequency switching application, Solar applications, Energy storage systems (ESS), and DC charger for EV.

Low switching losses

High current density

Qualified for industrial applications

4 kV AC 1 min insulation

Liens connexes