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Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules, 1.335 kA, 2.3 kV Enhancement, 15-Pin AG-XHP2K33

N° de stock RS:: 762-885
Référence fabricant:: FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules, 1.335 kA, 2.3 kV Enhancement, 15-Pin AG-XHP2K33

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N° de stock RS:: 762-885
Référence fabricant:: FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET Modules
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.335kA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	2.3kV
	Series	XHP 2
	Package Type	AG-XHP2K33
	Mount Type	Screw
	Pin Count	15
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.19mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-23V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.3μC
	Forward Voltage Vf	6.25V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Transistor Configuration	Half Bridge
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Width	100mm
	Length	140mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET Modules
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.335kA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 2.3kV
	Series XHP 2
	Package Type AG-XHP2K33
	Mount Type Screw
	Pin Count 15
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.19mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -23V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.3μC
	Forward Voltage Vf 6.25V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Transistor Configuration Half Bridge
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Width 100mm
	Length 140mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1

Pays d'origine :: DE

The Infineon CoolSiC MOSFET half bridge module features voltage rating of 2300 V and supports high current density. It features AlSiC base plate for increased thermal cycling capability and high creepage and clearance distances.

Low inductive design

Low switching losses

High power density

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