STMicroelectronics STWA60N0 N channel-Channel Power MOSFET, 62 A, 600 V N, 3-Pin TO-247 STWA60N035M9
- N° de stock RS:
- 762-554
- Référence fabricant:
- STWA60N035M9
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
5,53 €
(TVA exclue)
6,69 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 149 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,53 € |
| 10 - 49 | 5,38 € |
| 50 - 99 | 5,21 € |
| 100 + | 4,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 762-554
- Référence fabricant:
- STWA60N035M9
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | STWA60N0 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 321W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 112nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series STWA60N0 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 321W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 112nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 5.1mm | ||
Length 21.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics N Channel Super Junction Power MOSFET is a high efficiency power device built on Advanced MDmesh M9 super junction technology. It is designed for medium to high voltage applications where low conduction losses and fast switching are critical.
Very low FOM
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
100% avalanche tested