Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs, 30 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R080D2XUMA1
- N° de stock RS:
- 690-443
- Référence fabricant:
- IGL65R080D2XUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Visuel non contractuel
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
7,94 €
(TVA exclue)
9,60 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,97 € | 7,94 € |
| 20 - 98 | 3,215 € | 6,43 € |
| 100 - 198 | 2,465 € | 4,93 € |
| 200 + | 1,975 € | 3,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 690-443
- Référence fabricant:
- IGL65R080D2XUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Législations et de normes
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TSON-8 | |
| Series | CoolGaN G5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 8mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, ISO 128-30 | |
| Width | 8 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TSON-8 | ||
Series CoolGaN G5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 8mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS, ISO 128-30 | ||
Width 8 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- AT
Liens connexes
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R110D2XUMA1
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R140D2XUMA1
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R055D2XUMA1
- Infineon IGLR65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon IGLR65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon IGLR65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon CoolGaN Type P-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 6-Pin PG-TSON-6-2 IGC033S10S1
- Infineon CoolGaN Power Transistor 600 V Enhancement, 8-Pin PG-LSON-8-1