Vishay SQJ443 Type P-Channel Single MOSFETs, 24 A, -40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-065
- Référence fabricant:
- SQJ443AEP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SQJ443 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.025Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 27W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SQJ443 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.025Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 27W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay Automotive-grade P-channel MOSFET designed for efficient switching in power-sensitive environments. It supports up to 40 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Built with TrenchFET technology, it comes in a Compact PowerPAK SO-8L package for optimized thermal and electrical performance.
AEC Q101 qualified
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
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