Nexperia BSH108 Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH108,215

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509-324
Référence fabricant:
BSH108,215
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

BSH108

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

830mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3mm

Width

1.4 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, up to 30V


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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