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STMicroelectronics STL MOSFET, 103 A, 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL100N4LF8

N° de stock RS:: 365-173
Référence fabricant:: STL100N4LF8
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STL MOSFET, 103 A, 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL100N4LF8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 358,00 €

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3000 +	0,786 €	2 358,00 €

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N° de stock RS:: 365-173
Référence fabricant:: STL100N4LF8
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	103A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerFLAT
	Series	STL
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.85mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	JEDEC
	Width	3.3mm
	Length	3.3mm
	Height	0.8mm
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 103A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerFLAT
	Series STL
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.85mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals JEDEC
	Width 3.3mm
	Length 3.3mm
	Height 0.8mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics Power MOSFET is a Advanced STripFET F8 achieve higher switching frequencies than previous technologies, thanks to low device capacitances that minimize dynamic parameters and switching losses. This allows designers to use smaller capacitive and magnetic components in more Compact and cost-effective solutions, while increasing the power density of the final application.

Optimized gate charge for Faster commutation speeds

Higher immunity to spurious turn-on

Lower RDS(on) for higher system efficiency

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