STMicroelectronics STL MOSFET, 103 A, 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL100N4LF8
- N° de stock RS:
- 365-173
- Référence fabricant:
- STL100N4LF8
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 3000 + | 0,786 € | 2 358,00 € |
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- N° de stock RS:
- 365-173
- Référence fabricant:
- STL100N4LF8
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 103A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | STL | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.85mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Height | 0.8mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 103A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series STL | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.85mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Height 0.8mm | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is a Advanced STripFET F8 achieve higher switching frequencies than previous technologies, thanks to low device capacitances that minimize dynamic parameters and switching losses. This allows designers to use smaller capacitive and magnetic components in more Compact and cost-effective solutions, while increasing the power density of the final application.
Optimized gate charge for Faster commutation speeds
Higher immunity to spurious turn-on
Lower RDS(on) for higher system efficiency