STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET, 290 A, 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL300N4F8
- N° de stock RS:
- 330-571
- Référence fabricant:
- STL300N4F8
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
2,34 €
(TVA exclue)
2,83 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,34 € |
| 10 - 99 | 2,10 € |
| 100 - 499 | 1,94 € |
| 500 - 999 | 1,80 € |
| 1000 + | 1,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 330-571
- Référence fabricant:
- STL300N4F8
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 290A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | STL | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 290A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series STL | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Statut RoHS : Exempté
The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology, featuring an enhanced trench gate structure. It delivers a state-of-the-art figure of merit with very low on-state resistance, reduced internal capacitances, and gate charge, enabling faster and more efficient switching.
100% avalanche tested
Low gate charge Qg
Liens connexes
- STMicroelectronics STL Type N-Channel Power MOSFET 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL305N4F8AG
- STMicroelectronics STL Type N-Channel N-Channel Mosfet 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL160N4F8
- STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL145N4LF8AG
- STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL305N4LF8AG
- STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL325N4F8AG
- STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL300N4LF8
- STMicroelectronics N-Channel STL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Channel STL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL170N4LF8