Infineon IQD0 Type N-Channel MOSFET, 276 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQD020N10NM5SCATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

10,00 €

(TVA exclue)

12,10 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 5 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 185,00 €10,00 €
20 - 1984,505 €9,01 €
200 - 9984,15 €8,30 €
1000 - 19983,85 €7,70 €
2000 +3,455 €6,91 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
351-912
Référence fabricant:
IQD020N10NM5SCATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

276A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IQD0

Package Type

PG-WHSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.05mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

107nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Length

5mm

Width

6 mm

Height

0.75mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon Power MOSFET comes with a low RDS(on) of 2,05 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. Moreover, with the dual-side cooling package five times more power can be dissipated compared to the over molded package. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications.

Cutting edge 100 V silicon technology

Outstanding FOMs

Improved thermal performance

Ultra-low parasitic

Maximized chip or package ratio

Liens connexes