Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 34 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R075M1HXKSA1

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349-113
Référence fabricant:
IMYH200R075M1HXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Series

CoolSiC

Package Type

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

106mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

267W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

64nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET is a high performance silicon carbide MOSFET featuring .XT interconnection technology for enhanced thermal and electrical performance. With a benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.5 V, it offers reliable and efficient switching, making it ideal for high voltage power applications. This MOSFET delivers superior performance, ensuring excellent efficiency and robust operation even in demanding environments.

Very low switching losses

Robust body diode for hard commutation

RoHS compliant

Halogen free

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