Microchip VN3205 Type N-Channel MOSFET, 50 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VN3205N3-G
- N° de stock RS:
- 333-225
- Référence fabricant:
- VN3205N3-G
- Fabricant:
- Microchip
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- N° de stock RS:
- 333-225
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- VN3205N3-G
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Series | VN3205 | |
| Package Type | TO-92 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Series VN3205 | ||
Package Type TO-92 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip Enhancement mode transistor uses a vertical DMOS structure and a well proven silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source drain diode
High input impedance and high gain
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