STMicroelectronics STF Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP STF80N600K6
- N° de stock RS:
- 330-462
- Référence fabricant:
- STF80N600K6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220FP | |
| Series | STF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 23W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.6mm | |
| Length | 30.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220FP | ||
Series STF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 23W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.6mm | ||
Length 30.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics High voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ultra low gate charge
Zener-protected
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