ROHM RV7 Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 3-Pin DFN1212-3 RV7L020GNTCR1
- N° de stock RS:
- 265-382
- Référence fabricant:
- RV7L020GNTCR1
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 265-382
- Référence fabricant:
- RV7L020GNTCR1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | RV7 | |
| Package Type | DFN1212-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 157mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series RV7 | ||
Package Type DFN1212-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 157mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 1.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM MOSFET is designed for switching and load switching applications. Housed in a leadless ultra small SMD plastic package of 1.2x1.2x0.5 mm with an exposed drain pad, it offers excellent thermal conduction, ensuring efficient performance in compact electronic designs.
RoHS compliant
Low on resistance
Pb free lead plating
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