ROHM Type N-Channel MOSFET, 380 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin UMT BSS138BWAHZGT106
- N° de stock RS:
- 235-2648
- Référence fabricant:
- BSS138BWAHZGT106
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
6,125 €
(TVA exclue)
7,40 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 1 950 unité(s) expédiée(s) à partir du 24 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,245 € | 6,13 € |
| 50 - 75 | 0,24 € | 6,00 € |
| 100 - 225 | 0,167 € | 4,18 € |
| 250 - 975 | 0,164 € | 4,10 € |
| 1000 + | 0,094 € | 2,35 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 235-2648
- Référence fabricant:
- BSS138BWAHZGT106
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 380mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | UMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 680mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.35 mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 380mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type UMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 680mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300mW | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.35 mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM single N channel 60V MOSFET and ESD protection diode are included in the SST3 package. This product is Ideal for switching circuit and high-side load switch, relay driver applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
Ultra low voltage drive
Pb-free lead plating
Halogen free
Liens connexes
- ROHM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin UMT BSS138BWAHZGT106
- ROHM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin UMT BSS138BKWT106
- ROHM RU1L002SN N-Channel MOSFET 60 V SOT-323FL, UMT RU1L002SNTL
- ROHM RF6 Type N-Channel MOSFET 6-Pin TUMT6 RF6L025BGTCR
- onsemi 2N7002K Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- ROHM RS6R060BH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement HSOP-8S
- onsemi 2N7002K Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002KT1G
- DiodesZetex DMN61D9U Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23