onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET, 273 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8FL NTMFS0D9N04XMT1G
- N° de stock RS:
- 220-596
- Référence fabricant:
- NTMFS0D9N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 5 unités)*
4,60 €
(TVA exclue)
5,55 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,92 € | 4,60 € |
| 50 - 95 | 0,874 € | 4,37 € |
| 100 - 495 | 0,808 € | 4,04 € |
| 500 - 995 | 0,744 € | 3,72 € |
| 1000 + | 0,718 € | 3,59 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 220-596
- Référence fabricant:
- NTMFS0D9N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 273A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8FL | |
| Series | NTMFS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 61nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 121W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6.15mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 273A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8FL | ||
Series NTMFS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 121W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6.15mm | ||
Height 1mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The ON Semiconductor Power MOSFET Technology with best-in-class On-Resistance for motor driver application. Lower On-Resistance and less gate charge can reduce conduction loss and driving loss. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without extra snubber circuit in application.
Halogen Free
RoHS Compliant
Liens connexes
- onsemi NTMFS N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS0D7N04XMT1G
- onsemi NTMFS N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS2D1N08XT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS5C426NLT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS5C646NLT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS4C06NT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS4C05NT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS4C10NT1G
- onsemi N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS5C604NLT1G