onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET, 323 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8FL NTMFS0D7N04XMT1G
- N° de stock RS:
- 220-593
- Référence fabricant:
- NTMFS0D7N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 100 - 495 | 0,892 € | 4,46 € |
| 500 - 995 | 0,82 € | 4,10 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 220-593
- Référence fabricant:
- NTMFS0D7N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 323A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8FL | |
| Series | NTMFS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72.1nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 134W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Standards/Approvals | Pb-Free, RoHS | |
| Height | 1mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 323A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8FL | ||
Series NTMFS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72.1nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 134W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.15mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Standards/Approvals Pb-Free, RoHS | ||
Height 1mm | ||
- Pays d'origine :
- MY
The ON Semiconductor Power MOSFET Technology with best-in-class On-Resistance for motor driver application. Lower On-Resistance and less gate charge can reduce conduction loss and driving loss. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without extra snubber circuit in application.
Halogen Free
RoHS Compliant
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