onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL120N60S5Z
- N° de stock RS:
- 220-568
- Référence fabricant:
- NTHL120N60S5Z
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 1 unité)*
6,91 €
(TVA exclue)
8,36 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 441 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Paquet(s) | le paquet |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,91 € |
| 10 - 99 | 6,22 € |
| 100 - 499 | 5,75 € |
| 500 - 999 | 5,32 € |
| 1000 + | 4,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 220-568
- Référence fabricant:
- NTHL120N60S5Z
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | NTHL | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 120mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Pb-Free, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series NTHL | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Pb-Free, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The ON Semiconductor MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use and EMI issues for both hard and soft switching topologies.
Halogen Free
RoHS Compliant
Liens connexes
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247