Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-40YLBX

Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*

1 618,50 €

(TVA exclue)

1 959,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 31 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1500 +1,079 €1 618,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
219-517
Référence fabricant:
PSMN2R0-40YLBX
Fabricant:
Nexperia
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

PSM

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Power Dissipation Pd

166W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH
The Nexperia N-Channel MOSFET is utilizing Advanced TrenchMOS Super junction technology. It is designed for high-performance power switching applications. Key applications include automation, robotics, DC-to-DC converters, brushless DC motor control, industrial load-switching, eFuse, and inrush management.

Low parasitic inductance and resistance

High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package

Wave solder able

Superfast switching with soft recovery

Liens connexes

Recently viewed