Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 51 A, 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN7R5-30YLDX

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 ruban de 1 unité)*

0,40 €

(TVA exclue)

0,48 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 1 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s)
le ruban
1 - 90,40 €
10 - 990,36 €
100 - 4990,34 €
500 - 9990,31 €
1000 +0,28 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
219-512
Référence fabricant:
PSMN7R5-30YLDX
Fabricant:
Nexperia
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

LFPAK

Series

PSM

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.5nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

Low parasitic inductance and resistance

High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package

Qualified to 175 °C

Superfast switching with soft recovery

Liens connexes