Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 57 A, 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN7R5-30MLDX

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Référence fabricant:
PSMN7R5-30MLDX
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

57A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

LFPAK

Series

PSM

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

Low parasitic inductance and resistance

High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package

Qualified to 175 °C

Superfast switching with soft recovery

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