Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 270 A, 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R8-80SSFJ
- N° de stock RS:
- 219-460
- Référence fabricant:
- PSMN1R8-80SSFJ
- Fabricant:
- Nexperia
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
4,99 €
(TVA exclue)
6,04 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 1 804 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,99 € |
| 10 - 99 | 4,49 € |
| 100 + | 4,13 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 219-460
- Référence fabricant:
- PSMN1R8-80SSFJ
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 270A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | PSM | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 341W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.6mm | |
| Length | 8mm | |
| Standards/Approvals | Ha-free and RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 270A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series PSM | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 341W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.6mm | ||
Length 8mm | ||
Standards/Approvals Ha-free and RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The Nexperia N-Channel MOSFET is qualified for operation up to 175°C and is ideal for industrial and consumer applications. Key applications include synchronous rectification in AC-DC and DC-DC converters, primary side switching, BLDC motor control, full-bridge and half-bridge circuits, and battery protection.
Strong avalanche energy rating
Avalanche rated and 100% tested
Ha free and RoHS compliant
Liens connexes
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R8-80SSFJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R3-80SSFJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R8-30MLHX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR89-25YLEX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R6-80YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN4R5-80YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R3-80YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN4R2-80YSEX