Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 170 A, 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN4R2-80YSEX

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219-334
Référence fabricant:
PSMN4R2-80YSEX
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

170A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

LFPAK

Series

PSM

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Power Dissipation Pd

294W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features very low RDS(on) and enhanced safe operating area performance in a high-reliability copper-clip LFPAK88 package. It is optimized for hot-swap controllers, capable of withstanding high inrush currents and minimizing I²R losses for improved efficiency. Applications include hot-swap, load switching, soft start, and e-fuse.

SOA for superior linear mode operation

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