Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 120 A, 30 V Enhancement, 5-Pin TO-263 PSMN1R5-30BLEJ
- N° de stock RS:
- 219-445
- Référence fabricant:
- PSMN1R5-30BLEJ
- Fabricant:
- Nexperia
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 1 unité)*
3,71 €
(TVA exclue)
4,49 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 800 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,71 € |
| 10 - 99 | 3,34 € |
| 100 + | 3,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 219-445
- Référence fabricant:
- PSMN1R5-30BLEJ
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | PSM | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 401W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 228nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series PSM | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 401W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 228nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The Nexperia Logic Level N-channel MOSFET is housed in a D2PAK package and qualified for operation up to 175°C. It is designed for use in a broad range of industrial, communications, and domestic applications, offering reliable performance in demanding environments.
Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
Very low Rdson for low conduction losses
Liens connexes
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin TO-263 PSMN1R5-30BLEJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-40YSDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN4R8-100BSEJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-40YSDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R2-40YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R9-100YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-40YSBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R2-40YLBX
