Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-40YSBX
- N° de stock RS:
- 219-367
- Référence fabricant:
- PSMN3R5-40YSBX
- Fabricant:
- Nexperia
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
1 198,50 €
(TVA exclue)
1 450,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 23 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,799 € | 1 198,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 219-367
- Référence fabricant:
- PSMN3R5-40YSBX
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | PSM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 115W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series PSM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 115W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET is utilizing Advanced TrenchMOS Super junction technology. The package is qualified to 175 °C. It is designed for high-performance power switching applications. Key applications include automation, robotics, DC-to-DC converters, brushless DC motor control, industrial load-switching, eFuse, and inrush management.
Low parasitic inductance and resistance
High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package
Wave solder able
Superfast switching with soft recovery
Liens connexes
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-40YSBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-40YSDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R2-40YSBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R8-40YSBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R9-40YSBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-25MLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN4R8-100BSEJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R9-100YSFX