Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 300 A, 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-30YLDX

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Produit de remplacement

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presentation
onsemi NTMYS1D2N04CL Type N-Channel MOSFET, 258 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
N° de stock RS
189-0262

L'unité (sur une bobine de 3000)

1,233 €

(TVA exclue)

1,492 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:
219-315
Référence fabricant:
PSMN1R0-30YLDX
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

PSM

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

238W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

57.3nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

Low parasitic inductance and resistance

High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package

Wave solder able

Superfast switching with soft recovery

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