IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXFP12N50P

Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
Options de conditionnement :
N° de stock RS:
194-619
Numéro d'article Distrelec:
304-29-646
Référence fabricant:
IXFP12N50P
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

500mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.15mm

Width

4.83 mm

Length

10.66mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes