IXYS Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXFP12N50P

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Référence fabricant:
IXFP12N50P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

500mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.15mm

Width

4.83 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.66mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-29-646

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

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