IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 75 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXTP75N10P

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193-486
Référence fabricant:
IXTP75N10P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

75A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-220

Series

HiperFET, Polar

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

360W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

74nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.9 mm

Length

15.8mm

Standards/Approvals

No

Height

9.15mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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