STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 85 A, 1000 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD2NK100Z

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 ruban de 10 unités)*

4,82 €

(TVA exclue)

5,83 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 140 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le ruban*
10 - 900,482 €4,82 €
100 - 2400,457 €4,57 €
250 - 4900,425 €4,25 €
500 - 9900,391 €3,91 €
1000 +0,376 €3,76 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
151-902
Référence fabricant:
STD2NK100Z
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1000V

Package Type

TO-252

Series

SuperMESH

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

159°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET, it is high-voltage device with Zener-protected N-channel developed using the SuperMESH technology ,an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener-protected

Liens connexes