STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD4NK80ZT4

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 ruban de 20 unités)*

29,52 €

(TVA exclue)

35,72 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 360 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le ruban*
20 - 1801,476 €29,52 €
200 - 4801,402 €28,04 €
500 - 9801,297 €25,94 €
1000 - 19801,196 €23,92 €
2000 +1,15 €23,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
151-900
Référence fabricant:
STD4NK80ZT4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

SuperMESH

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.1mm

Width

6.6 mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET, it is high-voltage device with Zener-protected N-channel developed using the SuperMESH technology ,an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener-protected

Liens connexes