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STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

N° de stock RS:: 906-2808
Référence fabricant:: STGP5H60DF
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

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N° de stock RS:: 906-2808
Référence fabricant:: STGP5H60DF
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic	10A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	88W
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.95V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.15mm
	Series	Trench Gate Field Stop
	Standards/Approvals	No
	Length	10.4mm
	Automotive Standard	No
	Energy Rating	221mJ

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic 10A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 88W
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.95V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.15mm
	Series Trench Gate Field Stop
	Standards/Approvals No
	Length 10.4mm
	Automotive Standard No
	Energy Rating 221mJ

Pays d'origine :: CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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