onsemi FGH60N60SMD, Type N-Channel IGBT, 120 A 600 V, 3-Pin TO-247AB, Through Hole
- N° de stock RS:
- 739-4945
- Référence fabricant:
- FGH60N60SMD
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
6,68 €
(TVA exclue)
8,08 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 86 unité(s) expédiée(s) à partir du 24 juin 2026
- Plus 366 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,68 € |
| 10 + | 5,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 739-4945
- Référence fabricant:
- FGH60N60SMD
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 120A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 600W | |
| Package Type | TO-247AB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Series | Field Stop 2nd generation | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 120A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 600W | ||
Package Type TO-247AB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Series Field Stop 2nd generation | ||
Automotive Standard No | ||
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.