onsemi FGH60N60SMD IGBT, 120 A 600 V, 3-Pin TO-247AB, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

117,90 €

(TVA exclue)

142,80 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 390 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 303,93 €117,90 €
60 - 1203,773 €113,19 €
150 +3,656 €109,68 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
124-1320
Référence fabricant:
FGH60N60SMD
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

120 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

600 W

Package Type

TO-247AB

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes