onsemi AFGY120T65SPD, Type N-Channel IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
214-8789
Référence fabricant:
AFGY120T65SPD
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

120A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

714W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

AFGY120T65SPD

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The ON Semiconductor AFGY series is IGBT with soft fast recovery diode which offers very low conduction and switch losses for a high efficiency operation in various applications, rugged transient reliability and low EMI.

Tight parameter distribution

High input impedance

Short circuit ruggedness

Co−packed with soft fast recovery diode

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