Infineon IKZA75N65SS5XKSA1 Hybrid Discrete Diode, 75 A 650 V, 4-Pin PG-TO247-4-3, Through Hole

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N° de stock RS:
273-2994
Référence fabricant:
IKZA75N65SS5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

Hybrid Discrete Diode

Maximum Continuous Collector Current Ic

75A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation Pd

395W

Package Type

PG-TO247-4-3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.9mm

Width

15.7 mm

Length

20.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT discrete with silicon carbide schottky diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOP 5 and CoolSiC diode technology as well as the kelvin emitter package.

Highest efficiency

Reduced cooling effort

Increased power density

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