Infineon IKZA75N65SS5XKSA1 Hybrid Discrete Diode, 75 A 650 V, 4-Pin PG-TO247-4-3, Through Hole

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273-2993
Référence fabricant:
IKZA75N65SS5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

Hybrid Discrete Diode

Maximum Continuous Collector Current Ic

75A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation Pd

395W

Package Type

PG-TO247-4-3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

20.9mm

Width

15.7 mm

Height

4.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT discrete with silicon carbide schottky diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOP 5 and CoolSiC diode technology as well as the kelvin emitter package.

Highest efficiency

Reduced cooling effort

Increased power density

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