Infineon IKQ140N120CH7XKSA1, N-Channel IGBT, 140 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 273-2975
- Référence fabricant:
- IKQ140N120CH7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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- N° de stock RS:
- 273-2975
- Référence fabricant:
- IKQ140N120CH7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 140A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 962W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 20.9mm | |
| Width | 15.9mm | |
| Series | TRENCHSTOP IGBT7 | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 140A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 962W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.1mm | ||
Length 20.9mm | ||
Width 15.9mm | ||
Series TRENCHSTOP IGBT7 | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT7 H7 discrete in TO-247PLUS-3pin package has been developed to fulfill the demand in applications focusing on decarbonisation such as solar photovoltaic, uninterruptible power supplies and battery chargers.
Optimized performance in application conditions
Lowest conduction losses
Humidity robustness under harsh environment
Improved EMI performance